Respuesta Fotoluminiscente observada en muestras de InP y GaAs no dopadas y dopadas Cr y S
DOI:
https://doi.org/10.15665/rp.v19i1.2439Resumen
En este trabajo se analizaron muestras semiconductoras de GaAs y InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia a temperatura ambiente. Las muestras fueron crecidas por la técnica LEC, con la técnica fotoluminiscente se obtuvieron imágenes y espectros de línea, para analizar los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. El espectro del GaAs no dopado mostró dos picos alrededor de 1,426 eV y otro en 1,36 eV, el cual corresponde a un defecto superficial originado por el proceso oxidación de la misma. El espectro del GaAs:Cr muestra un pico alrededor de 1,437 eV, no presento zona de defectos al ser tratado químicamente, debido a la presencia del Cr en el GaAs que origina un nivel aceptor profundo situado en 0,63 eV por debajo de la banda de conducción. El espectro del InP:S presento un pico alrededor de 1,375 eV y cuando fue tratado químicamente reflejo dos picos: con acetona de 1,380 eV y ácido sulfúrico de 1,392 eV.
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